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新光速动态
发布日期：2016-09-14 12:37:02
目前,化学机械抛光是硅片加工和多层布线层间平坦化中最终获得纳米级超光滑无损伤表面的最有效工艺方法,也是能够实现局部和全局平坦化的实用技术。抛光垫是CMP系统的重要组成部分,也是的主要消耗品。抛光垫的表面结构和组织直接影响抛光垫的性能,进而影CMP过程及加工效果。
抛光垫表面开沟槽是改善抛光垫性能的主要途径之一。抛光垫沟槽的形状、尺寸及沟槽分布等因素对CMP加工区域中的抛光液流量、压力及其分布等产生重要影响。但目前对抛光垫沟槽的制作工艺以及沟槽在CMP过程中的作用机理和对抛光效果的影响等方面的研究报道很少。应用激光刻蚀原理加工抛光垫表面沟槽的新工艺,并利用该工艺制作出同心圆形、方格形以及渐开线形等不同形式的沟槽,实验研究了沟槽的形状、尺寸及沟槽分布等因素对CMP效果的影响。
